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鲁汶大学合作IMEC研发芯片绝缘技术 可研发出更小/能耗更低的芯片

来源:网络 时间:2019-10-11 编辑:佚名
比利时鲁汶大学(KU Leuven)和比利时微电子研究中心(imec)的研究人员成功研发出一种芯片绝缘技术。

  比利时鲁汶大学(KU Leuven)和比利时微电子研究中心(imec)的研究人员成功研发出一种芯片绝缘技术。该技术采用了金属有机框架,即一种由结构型纳米孔组成的新型材料。从长远来看,该方法能够用于研发尺寸更小、更强大同时能耗更低的芯片。目前,该研究小组已经获得ERC概念认证的拨款,以进一步进行研究。  

  计算机芯片正变得越来越小,这一点并不新鲜,因为早在1965年,芯片制造商英特尔(Intel)的创始人之一Gordon Moore就已经预测到这一点。摩尔定律指出,芯片或集成电路中的晶体数量大约每两年就会翻一番,最后时间调整为每18个月,但是理论依然成立。而随着芯片变得越来越小,处理能力越来越强,现在,一个芯片中会有超过10亿个晶体管。

  但是,芯片尺寸的减小也带来了一些不便,会让开关与电线紧紧地被捆在一起,从而产生更大的电阻,进而导致芯片需要消耗更多的能量来发送信号。如果需要一个功能良好的芯片,就需要一种绝缘物质,能够将电线彼此分开,并确保电信号不被干扰。但是,做出纳米绝缘物质并不容易。

  由鲁汶大学微电子和分子系统系Rob Ameloot教授领导的一项研究表明,有一种新技术可能可以提供解决方案。“我们采用了金属有机框架(MOF)作为绝缘材料,此类材料由金属离子和有机分子组成,结合在一起可以形成多孔且坚固的晶体。”  

  鲁汶大学和比利时微电子研究中心的一个研究小组首次成功将MOF绝缘材料应用于电子材料,而且还采用了化学气相沉积法。微电子和分子系统系的博士后研究员Mikhail Krishtab表示:“首先,我们在表面涂上一层氧化膜,然后,让其与该有机材料的蒸汽发生反应,从而导致该材料膨胀,最终成为纳米孔晶体。”

  Krishtab表示:“该方法的主要优点是自下而上,首先,沉积一层氧化膜,然后再膨胀成纳米孔MOF材料,此种材料的多孔结构可以填补导体之间的所有空隙。”

  Ameloot教授的研究小组已经获得ERC概念认证的拨款,并与比利时微电子研究中心团队中,研究纳米芯片介电材料的Silvia Armini合作,以进一步研发该技术。Ameloot表示:“我们已经证明MOF材料拥有我们需要的性能,现在,我们只需要对其进行改进,因为该晶体的表面目前还是不规则的,我们需要让其变得光滑以集成至芯片。”

  一旦该项技术得到完善,就可用于生产功能强大、能耗更低的小芯片。Ameloot表示:“自动驾驶汽车、智能城市等各种AI应用都需要具备强大的处理能力,科技公司也一直在寻找既快速又节能的新型解决方案,我们的研究将有助于生产出新一代芯片。”(图片均来自鲁汶大学官网)

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